IPD105N03LG参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IPD105N03LG图片1

IPD105N03LG图片2

IPD105N03LG中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 38.0 W

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1500pF @15VVds

额定功率Max 38 W

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IPD105N03LG

型号： IPD105N03LG

制造商： Infineon 英飞凌

描述：30V,35A,N沟道功率MOSFET

替代型号IPD105N03LG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IPD105N03LG Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IPD090N03LGATMA1 英飞凌	功能相似	IPD105N03LG和IPD090N03LGATMA1的区别
IRLR8729PBF 英飞凌	功能相似	IPD105N03LG和IRLR8729PBF的区别
IRLR8729TRPBF 英飞凌	功能相似	IPD105N03LG和IRLR8729TRPBF的区别