IPU50R1K4CE

IPU50R1K4CE图片1
IPU50R1K4CE图片2
IPU50R1K4CE中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 3.1A

上升时间 6 ns

下降时间 30 ns

封装参数

封装 TO-251

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.38 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPU50R1K4CE
型号: IPU50R1K4CE
描述:500V,1400mΩ,4.8A,N沟道功率MOSFET

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台