IPB011N04NG

IPB011N04NG图片1
IPB011N04NG图片2
IPB011N04NG概述

40V,180A,N沟道功率MOSFET

* Excellent gate charge x RDSon product FOM * Very low on-resistance RDSon * Ideal for fast switching applictions * RoHS compliant - halogen free * MSL1 rated


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin TO-263 T/R


力源芯城:
40V,180A,N沟道功率MOSFET


IPB011N04NG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

上升时间 10 ns

下降时间 13 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IPB011N04NG
型号: IPB011N04NG
描述:40V,180A,N沟道功率MOSFET
替代型号IPB011N04NG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPB011N04NG

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPB180N04S4-01

英飞凌

功能相似

IPB011N04NG和IPB180N04S4-01的区别

IPB180N04S4-H0

英飞凌

功能相似

IPB011N04NG和IPB180N04S4-H0的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台