IPB017N06N3G

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IPB017N06N3G概述

60V,180A,N沟道功率MOSFET

Features

• Ideal for high frequency switching and sync. rec.

• Optimized technology for DC/DC converters

• Excellent gate charge x R DSon product FOM

• Very low on-resistance RDSon

• N-channel, normal level

• 100% avalanche tested

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC1 for target applications

• Halogen-free according to IEC61249-2-21


力源芯城:
60V,180A,N沟道功率MOSFET


IPB017N06N3G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

封装 TO-263-7

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

IPB017N06N3G引脚图与封装图
IPB017N06N3G引脚图
IPB017N06N3G封装焊盘图
在线购买IPB017N06N3G
型号: IPB017N06N3G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:60V,180A,N沟道功率MOSFET
替代型号IPB017N06N3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPB017N06N3G

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPB180N06S4-H1

英飞凌

完全替代

IPB017N06N3G和IPB180N06S4-H1的区别

IPB016N06L3G

英飞凌

完全替代

IPB017N06N3G和IPB016N06L3G的区别

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