IPD122N10N3GATMA1

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IPD122N10N3GATMA1概述

N-CH 100V 59A

表面贴装型 N 通道 59A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3


欧时:
INFINEON MOSFET IPD122N10N3GATMA1


贸泽:
MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 59A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N 100V 59A 3-Pin TO-252 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 59A


IPD122N10N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0105 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 94 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 59A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 1880pF @50VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 94W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Communications & Networking, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Industrial, Class D audio amplifie, Audio, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Motor Drive & Control, Uninterruptable power supplies UPS

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPD122N10N3GATMA1
型号: IPD122N10N3GATMA1
描述:N-CH 100V 59A

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