IPD068N10N3 系列 100 V 6.8 mOhm N沟道 OptiMOS®3 功率-晶体管 - PG-TO252-3
表面贴装型 N 通道 100 V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
欧时:
MOSFET N-Ch 100V 90A OptiMOS3 DPAK
贸泽:
MOSFET MV POWER MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
MV POWER MOS
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
力源芯城:
100V,6.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 90A
额定功率 0.33 W
漏源极电阻 0.0057 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
电阻 22.1 Ω
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 4910pF @50VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 0.5 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Audio, Uninterruptable power supplies UPS, Class D audio amplifie, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Motor Drive & Control, Communications & Networking, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17