晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 55 V, 0.047 ohm, 10 V, 1.6 V
Summary of Features:
Benefits:
针脚数 3
漏源极电阻 0.047 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 47 W
阈值电压 1.6 V
输入电容 354 pF
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 354pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 47W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Valves control, Solenoids control, Lighting, Single-ended motors
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD15N06S2L64ATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD15N06S2L64ATMA2和IPD15N06S2L64ATMA1的区别 |