N-沟道 800 V 1400 mΩ 23 mΩ CoolMOS CE 功率 晶体管 - TO-220FP
Summary of Features:
Benefits:
Target Applications:
针脚数 3
漏源极电阻 1.22 Ω
极性 N-CH
耗散功率 31 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 3.9A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 570pF @100VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 31W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPA80R1K4CEXKSA1 英飞凌 | 完全替代 | IPA80R1K4CEXKSA2和IPA80R1K4CEXKSA1的区别 |