IPD50R3K0CEAUMA1

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IPD50R3K0CEAUMA1概述

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3


欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R3K0CEAUMA1, 1.7 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 500 V, 2.7 ohm, 13 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
MOS Power Transistors HV >= 200V


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3 / N-Channel 500 V 1.7A Tc 26W Tc Surface Mount PG-TO252-3


IPD50R3K0CEAUMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.7 Ω

极性 N-CH

耗散功率 26 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 2.6A

上升时间 5.8 ns

输入电容Ciss 84pF @100VVds

下降时间 49 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 26W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD50R3K0CEAUMA1
型号: IPD50R3K0CEAUMA1
描述:P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
替代型号IPD50R3K0CEAUMA1
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