P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R3K0CEAUMA1, 1.7 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 500 V, 2.7 ohm, 13 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
MOS Power Transistors HV >= 200V
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3 / N-Channel 500 V 1.7A Tc 26W Tc Surface Mount PG-TO252-3
针脚数 3
漏源极电阻 2.7 Ω
极性 N-CH
耗散功率 26 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 2.6A
上升时间 5.8 ns
输入电容Ciss 84pF @100VVds
下降时间 49 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 26W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD50R3K0CEBTMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD50R3K0CEAUMA1和IPD50R3K0CEBTMA1的区别 |