IRF60R217 系列 60 V 58 A 9.9 mOhm 表面贴装 IR Mosfet - DPAK-3
StrongIRFET™ 功率 MOSFET,
Infineon 的 得捷:
MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
立创商城:
IRF60R217
欧时:
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF60R217, 58 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 3.7 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
安富利:
Trans MOSFET N 60V 58A 3-Pin DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
针脚数 3
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-CH
耗散功率 83 W
阈值电压 3.7 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 58A
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 2170pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 7.49 mm
宽度 6.73 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRF60R217 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF60B217 英飞凌 | 功能相似 | IRF60R217和IRF60B217的区别 |