IRF60R217

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IRF60R217概述

IRF60R217 系列 60 V 58 A 9.9 mOhm 表面贴装 IR Mosfet - DPAK-3

StrongIRFET™ 功率 MOSFET,

Infineon 的
.
*StrongIRFE** 系列经过优化,RDS(接通)低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用,包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。

得捷:
MOSFET N-CH 60V 58A DPAK


立创商城:
IRF60R217


欧时:
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF60R217, 58 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 3.7 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


安富利:
Trans MOSFET N 60V 58A 3-Pin DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


IRF60R217中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.008 Ω

极性 N-CH

耗散功率 83 W

阈值电压 3.7 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 58A

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 2170pF @25VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 7.49 mm

宽度 6.73 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRF60R217
型号: IRF60R217
描述:IRF60R217 系列 60 V 58 A 9.9 mOhm 表面贴装 IR Mosfet - DPAK-3
替代型号IRF60R217
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