的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
Summary of Features:
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- N-channel - Enhancement mode
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- AEC Q101 qualified
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- MSL1 up to 260°C peak reflow
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- 175°C operating temperature
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- Green Product RoHS compliant
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- 100% Avalanche tested
Benefits:
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- world"s lowest RDS at 60V on
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- highest current capability
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- lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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- robust packages with superior quality and reliability
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- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
通道数 1
漏源极电阻 7.9 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 71 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 45A
上升时间 2 ns
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Solenoids control, Valves control, Lighting, Single-ended motors
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB45N06S4L-08 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB60R380C6 英飞凌 | 类似代替 | IPB45N06S4L-08和IPB60R380C6的区别 |
IPB80N06S4-07 英飞凌 | 类似代替 | IPB45N06S4L-08和IPB80N06S4-07的区别 |
IPB120N06S4-H1 英飞凌 | 类似代替 | IPB45N06S4L-08和IPB120N06S4-H1的区别 |