IPB100P03P3L-04

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IPB100P03P3L-04中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 D2PAK

外形尺寸

封装 D2PAK

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB100P03P3L-04
型号: IPB100P03P3L-04
制造商: Infineon 英飞凌
描述:的OptiMOS -P沟道功率三极管 OptiMOS-P Trench Power-Transistor

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