IPD12N03LBG

IPD12N03LBG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 30.0 A

输入电容 1.30 nF

栅电荷 11.0 nC

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD12N03LBG
型号: IPD12N03LBG
制造商: Infineon 英飞凌
描述:OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
替代型号IPD12N03LBG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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