IPD13N03LAG

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IPD13N03LAG概述

IPD13N03LAG N 沟道场效应管 25V 30A TO252 代码 13N03LA 高频直流/直流转换器

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 25V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | 最大漏极电流Id Drain Current | 30A 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | V GS=10 V, I D=30 A RDS=10.7~12.8mΩ 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage | 1.2~2v 耗散功率Pd Power dissipation | 46w 描述与应用 Description & Applications | 功率 适合高频直流/直流转换器


Win Source:
OptiMOS?2 Power-Transistor


IPD13N03LAG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 30.0 A

漏源极电压Vds 25 V

输入电容Ciss 1043pF @15VVds

额定功率Max 46 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD13N03LAG
型号: IPD13N03LAG
制造商: Infineon 英飞凌
描述:IPD13N03LAG N 沟道场效应管 25V 30A TO252 代码 13N03LA 高频直流/直流转换器
替代型号IPD13N03LAG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPD13N03LAG

Infineon 英飞凌

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英飞凌

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