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IPB048N06LG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 100 A

输入电容 7.60 nF

栅电荷 225 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 100 A

输入电容Ciss 7600pF @30VVds

额定功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB048N06LG

型号： IPB048N06LG

制造商： Infineon 英飞凌

描述：OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor

替代型号IPB048N06LG

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