IPB065N06LG

IPB065N06LG图片1
IPB065N06LG概述

OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor

N-Channel 60 V 80A Tc 250W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2


立创商城:
N沟道 60V 80A


得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET


IPB065N06LG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 80.0 A

输入电容 5.10 nF

栅电荷 157 nC

漏源极电压Vds 60.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 D2PAK

外形尺寸

封装 D2PAK

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB065N06LG
型号: IPB065N06LG
制造商: Infineon 英飞凌
描述:OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor
替代型号IPB065N06LG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPB065N06LG

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

STB80NF55-06T

意法半导体

功能相似

IPB065N06LG和STB80NF55-06T的区别

STB80NF55-06

意法半导体

功能相似

IPB065N06LG和STB80NF55-06的区别

B-8-0

意法半导体

功能相似

IPB065N06LG和B-8-0的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台