IPB09N03LAG

IPB09N03LAG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 50.0 A

通道数 1

漏源极电阻 15.1 mΩ

耗散功率 63 W

输入电容 1.64 nF

栅电荷 13.0 nC

漏源极电压Vds 25.0 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

上升时间 73 ns

下降时间 3.2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB09N03LAG
型号: IPB09N03LAG
制造商: Infineon 英飞凌
描述:OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
替代型号IPB09N03LAG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

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