IPD06N03L

IPD06N03L N沟道MOSFET 25V 90A TO-252/D-PAK marking/标记 06N03L 高功率/高电流处理能力/极低的RDS

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 25V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 90A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.0032Ω/Ohm 60A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 115W Description & Applications| • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1 for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DSon product FOM • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant 描述与应用| •非常适于高频DC / DC转换器 •符合到JEDEC1） 针对目标应用 •N沟道逻辑电平 •优秀的栅极电荷x R DS（ON） 产品（FOM） •卓越的热电阻 •175°C的工作温度 •无铅引脚电镀，符合RoHS