IPA50R190CEXKSA2概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 24.8 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V
通孔 N 通道 18.5A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
得捷:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220
欧时:
Infineon MOSFET IPA50R190CE
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 24.8 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 32W; TO220FP
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
IPA50R190CEXKSA2中文资料参数规格
技术参数
额定功率 32 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 N-CH
耗散功率 32 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 18.5A
上升时间 8.5 ns
输入电容Ciss 1137pF @100VVds
额定功率Max 32 W
下降时间 7.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 32W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
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