IPL65R650C6SATMA1

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IPL65R650C6SATMA1概述

N沟道 650V 6.7A

表面贴装型 N 通道 650 V 6.7A(Tc) 56.8W(Tc) PG-TSON-8-2


得捷:
MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK


立创商城:
N沟道 650V 6.7A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 6.7A 5-Pin TPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.7A; 56.8W; PG-VSON-4


IPL65R650C6SATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 56.8 W

极性 N-CH

耗散功率 56.8W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 6.7A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 440pF @100VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 56.8W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Thin-Pak

外形尺寸

封装 Thin-Pak

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: IPL65R650C6SATMA1
描述:N沟道 650V 6.7A

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