IMH3A

IMH3A NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 100~600 300mW/0.3W SOT-163/SMT6/SC-74 标记H3 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio| Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 100~600 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Features •General purpose dual digital transistors •Two DTAK13Ts chips in a EMT or UMT or SMT package. •Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. •Transistor elements are independent, eliminating interference. 描述与应用| 特点 •通用（双数字） •的两个DTAK13Ts芯片在EMT或UMT或SMT封装。 •安装可能与EMT3或UMT3或SMT3自动安装机器。 •晶体管元素是独立的，消除干扰