IS9-2100ARH/PROTO

IS9-2100ARH/PROTO中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 2

耗散功率 60 mW

耗散功率Max 60 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DFP

外形尺寸

封装 DFP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IS9-2100ARH/PROTO
型号: IS9-2100ARH/PROTO
制造商: Intersil 英特矽尔
描述:抗辐射高频半桥驱动器 Radiation Hardened High Frequency Half Bridge Driver
替代型号IS9-2100ARH/PROTO
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS9-2100ARH/PROTO

Intersil 英特矽尔

当前型号

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