IHY20N120R3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IHY20N120R3中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 310 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IHY20N120R3

型号： IHY20N120R3

制造商： Infineon 英飞凌

描述：逆导IGBT与单片体二极管 Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

替代型号IHY20N120R3