IPB80N04S3-H4

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IPB80N04S3-H4中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

额定功率Max 115 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPB80N04S3-H4
型号: IPB80N04S3-H4
制造商: Infineon 英飞凌
描述:的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
替代型号IPB80N04S3-H4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPB80N04S3-H4

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当前型号

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