IPD26N06S2L-35概述
的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
Summary of Features:
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- N-channel - Enhancement mode
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- Automotive AEC Q101 qualified
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- MSL1 up to 260°C peak reflow
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- 175°C operating temperature
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- Green package lead free
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- Ultra low Rdson
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- 100% Avalanche tested
Benefits:
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- world"s lowest RDS at 55V on in planar technology
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- highest current capability
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- lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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- robust packages with superior quality and reliability
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- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPD26N06S2L-35中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 27 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 68 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 18 ns
下降时间 11 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, Valves control, Solenoids control, Single-ended motors
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IPD26N06S2L-35
替代型号IPD26N06S2L-35
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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