IMH20 NPN+NPN复合带阻尼三极管 30V 600mA 100~600 300mW/0.3W SOT-163/SMT6/SC-74 标记H20 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 15V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 600mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 2.2KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio| Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 2.2KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 100~600 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Features •General purpose dual digital transistors •Two DTC323T chips in a SMT package. •Mounting possible with SMT3 automatic mounting machines. •Transistor elements are independent, eliminating interference. 描述与应用| 特点 •通用（双数字晶体管） •两个DTC323T的芯片在SMT包装。 •安装可能与SMT3可能自动装配机。 •晶体管元素是独立的，消除干扰。