IPD135N08N3GATMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 80 V, 0.0114 ohm, 10 V, 2.8 V
表面贴装型 N 通道 80 V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
欧时:
Infineon MOSFET IPD135N08N3GATMA1
得捷:
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
立创商城:
N沟道 80V 45A
贸泽:
MOSFET MV POWER MOS
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 80 V, 0.0114 ohm, 10 V, 2.8 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 45A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 45A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
IPD135N08N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0114 Ω
极性 N-CH
耗散功率 79 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
连续漏极电流Ids 45A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 1730pF @40VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 79W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IPD135N08N3GATMA1