IRFR13N15D

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IRFR13N15D概述

DPAK N-CH 150V 14A

Benefits:

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RoHS Compliant
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Low RDSon
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Industry-leading quality
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Dynamic dv/dt Rating
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Fast Switching
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Fully Avalanche Rated
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175°C Operating Temperature

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 14A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 14A 3-Pin2+Tab DPAK


IRFR13N15D中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 14.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 86.0 W

产品系列 IRFR13N15D

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 620pF @25VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 86000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRFR13N15D
型号: IRFR13N15D
制造商: Infineon 英飞凌
描述:DPAK N-CH 150V 14A
替代型号IRFR13N15D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRFR13N15D

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当前型号

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