IRF5305参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IRF5305概述

TO-220AB P-CH 55V 31A

Benefits:

.: RoHS Compliant

.: Low RDSon

.: Industry-leading quality

.: Dynamic dv/dt Rating

.: Fast Switching

.: Fully Avalanche Rated

.: 175°C Operating Temperature

.: P-Channel MOSFET

IRF5305中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -55.0 V

额定电流 -31.0 A

漏源极电阻 60.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 110 W

产品系列 IRF5305

漏源极电压Vds 55.0 V

漏源击穿电压 -55.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 31.0 A

上升时间 66 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

下降时间 63 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF5305

型号： IRF5305

制造商： Infineon 英飞凌

描述：TO-220AB P-CH 55V 31A

替代型号IRF5305

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF5305 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRF5305PBF 英飞凌	功能相似	IRF5305和IRF5305PBF的区别
2SJ652 三洋	功能相似	IRF5305和2SJ652的区别
2SJ553L-E 瑞萨电子	功能相似	IRF5305和2SJ553L-E的区别