IXFX66N85X参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFX66N85X概述

通孔 N 通道 850V 66A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247™-3

通孔 N 通道 66A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 850V 66A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXFX66N85X中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1250000 mW

漏源极电压Vds 850 V

连续漏极电流Ids 66A

上升时间 48 ns

输入电容Ciss 8900pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXFX66N85X

型号： IXFX66N85X

制造商： IXYS Semiconductor

描述：通孔 N 通道 850V 66A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247™-3