IRF8910参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IRF8910概述

SOIC N-CH 20V 10A

Benefits:

.: RoHS Compliant

.: Low RDSon

.: Low RDSON at 4.5V VGS

.: Ultra-Low Gate Impedance

.: Dual N-Channel MOSFET

安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC

IRF8910中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 10.0 A

极性 N-CH

产品系列 IRF8910

漏源极电压Vds 20.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 10 ns

热阻 62.5 K/W

下降时间 4.1 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF8910

型号： IRF8910

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOIC N-CH 20V 10A

替代型号IRF8910

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替代型号对比

IRF8910

Infineon 英飞凌

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IRF8910PBF

英飞凌

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IRF8910和IRF8910PBF的区别