SOIC N-CH 20V 6.6A
Benefits:
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- RoHS Compliant
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- Low RDSon
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- Dynamic dv/dt Rating
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- Fast Switching
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- Dual N-Channel MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 6.6A 8-Pin SOIC
额定电压DC 20.0 V
额定电流 6.60 A
极性 Dual N-Channel
产品系列 IRF7311
漏源极电压Vds 20.0 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 6.60 A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 900pF @15VVds
下降时间 31 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF7311 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF7301TRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF7311和IRF7301TRPBF的区别 |
IRF7311TRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF7311和IRF7311TRPBF的区别 |
IRF7301PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF7311和IRF7301PBF的区别 |