IMT4 PNP+PNP复合三极管 -120V -50mA HEF=180~820 SOT-163/SMT6/SC-74 标记T4 用于开关/数字电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -120V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -50MA 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 140MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 180~820 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.5V 耗散功率Pc Power Dissipation | 300MW/0.3W 描述与应用 Description & Applications | 通用双 1两个2 sa1514k芯片在AMT包。 2高击穿电压。 技术文档PDF下载 | 在线阅读
封装 SOT-163
封装 SOT-163
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO -120V
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO -120V
集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC -50MA
截止频率fT Transtion FrequencyfT 140MHZ
直流电流增益hFE DC Current GainhFE 180~820
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage -0.5V
耗散功率Pc Power Dissipation 300MW/0.3W
技术文档PDF下载 在线阅读
规格书PDF __
RoHS标准 RoHS Compliant
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IMT4 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IMT4T108 罗姆半导体 | 功能相似 | IMT4和IMT4T108的区别 |