IPB70N10SL-16

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IPB70N10SL-16中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 250 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 70A

上升时间 250 ns

输入电容Ciss 4540pF @25VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 95 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB70N10SL-16
型号: IPB70N10SL-16
描述:SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
替代型号IPB70N10SL-16
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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