IPT65R105G7XTMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.091 ohm, 10 V, 3.5 V
表面贴装型 N 通道 650 V 24A（Tc） 156W（Tc） PG-HSOF-8-2
得捷:
MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF
立创商城:
N沟道 650V 24A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.091 ohm, 10 V, 3.5 V
艾睿:
IPT65R105G7XTMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 24A 9-Pin8+Tab HSOF T/R - Arrow.com
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 9-Pin8+Tab HSOF T/R
IPT65R105G7XTMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.091 Ω
极性 N-CH
耗散功率 156 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 24A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1670pF @400VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 156000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 9
封装 PG-HSOF-8-2
外形尺寸
封装 PG-HSOF-8-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IPT65R105G7XTMA1