IS43R86400E-6BLI

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IS43R86400E-6BLI概述

动态随机存取存储器 DDR,512M,2.5V,RoHs 166MHz,64Mx8, IT

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb(64M x 8) 并联 166 MHz 700 ps 60-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA


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IS43R86400E 6BLI


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动态随机存取存储器 DDR,512M,2.5V,RoHs 166MHz,64Mx8, IT


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DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V/2.6V 60-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 64Mx8 2.5V/2.6V 60-Pin TFBGA


IS43R86400E-6BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间Max 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IS43R86400E-6BLI
型号: IS43R86400E-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 DDR,512M,2.5V,RoHs 166MHz,64Mx8, IT

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