IPI084N06L3 G

IPI084N06L3 G概述

MOSFET N-Ch 60V 50A I2PAK-3

Summary of Features:

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Excellent gate charge x R DSon product FOM
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Very low on-resistance R DSon
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Ideal for fast switching applications
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RoHS compliant - halogen free
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MSL1 rated

Benefits:

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Highest system efficiency
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Less paralleling required
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Increased power density
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System cost reduction
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Very low voltage overshoot
IPI084N06L3 G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 79 W

上升时间 26 ns

下降时间 7 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters, Or-ing switches

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI084N06L3 G
型号: IPI084N06L3 G
描述:MOSFET N-Ch 60V 50A I2PAK-3

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