IPI47N10S-33

IPI47N10S-33图片1
IPI47N10S-33中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 47A

上升时间 23 ns

下降时间 15 ns

封装参数

封装 I2PAK-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 I2PAK-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI47N10S-33
型号: IPI47N10S-33
制造商: Infineon 英飞凌
描述:SIPMOS功率三极管特性N沟道增强模式 SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode
替代型号IPI47N10S-33
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPI47N10S-33

Infineon 英飞凌

当前型号

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英飞凌

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