IPU50R1K4CEAKMA1

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IPU50R1K4CEAKMA1概述

N-CH 500V 4.8A

Summary of Features:

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Reduced energy stored in output capacitance E oss
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High body diode ruggedness
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Reduced reverse recovery charge Q rr
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Reduced gate charge Q g

Benefits:

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Easy control of switching behavior
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Better light load efficiency compared to previous CoolMOS™ generations
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Cost attractive alternative compared to standard MOSFETs
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Outstanding quality and reliability of CoolMOS™ technology

Target Applications:

 

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Consumer
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Lighting
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PC silverbox
IPU50R1K4CEAKMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 42W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 4.8A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 178pF @100VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPU50R1K4CEAKMA1
型号: IPU50R1K4CEAKMA1
描述:N-CH 500V 4.8A

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