IRLW630A

IRLW630A概述

先进的功率MOSFET ADVANCED POWER MOSFET

Advanced Power MOSFET

FEATURES

♦Logic-Level Gate Drive

♦Avalanche Rugged Technology

♦Rugged Gate Oxide Technology

♦Lower Input Capacitance

♦Improved Gate Charge

♦Extended Safe Operating Area

♦Lower Leakage Current: 10µA Max. @ VDS= 100V

♦Lower RDSON: 0.336ΩTyp.


IRLW630A中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 9A

封装参数

封装 D2PAK

外形尺寸

封装 D2PAK

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRLW630A
型号: IRLW630A
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:先进的功率MOSFET ADVANCED POWER MOSFET
替代型号IRLW630A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRLW630A

Fairchild 飞兆/仙童

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飞兆/仙童

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