IPI80N04S3-H4参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPI80N04S3-H4中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 80A

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

额定功率Max 115 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI80N04S3-H4

型号： IPI80N04S3-H4

制造商： Infineon 英飞凌

描述：的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor

替代型号IPI80N04S3-H4

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IPI80N04S3-H4

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

FDI8441

飞兆/仙童

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