晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 40 V, 830 µohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
Simulation/SPICE-Model
针脚数 8
极性 N-CH
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 300A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 12090pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 9
封装 PG-HSOF-8-1
封装 PG-HSOF-8-1
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅