IPB042N10N3GE818XT

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IPB042N10N3GE818XT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 214 W

上升时间 59 ns

下降时间 14 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-252-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB042N10N3GE818XT
型号: IPB042N10N3GE818XT
制造商: Infineon 英飞凌
描述:MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2

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