IPB60R040C7ATMA1

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IPB60R040C7ATMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.034 ohm, 10 V, 3.5 V

表面贴装型 N 通道 50A(Tc) 227W(Tc) PG-TO263-3


欧时:
Infineon MOSFET IPB60R040C7ATMA1


立创商城:
N沟道 650V 50A


得捷:
MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin2+Tab D2PAK


安富利:
Trans MOSFET N 650V 50A 3-Pin TO-263 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin2+Tab D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3 / N-Channel 650 V 50A Tc 227W Tc Surface Mount PG-TO263-3


IPB60R040C7ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.034 Ω

极性 N-CH

耗散功率 227 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 37.9A

上升时间 11 ns

下降时间 3.2 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPB60R040C7ATMA1
型号: IPB60R040C7ATMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.034 ohm, 10 V, 3.5 V

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