IPD65R400CEAUMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 15.1 A, 650 V, 0.36 ohm, 10 V, 3 V
IPD65R400CE, SP001466800
得捷:
MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
欧时:
Infineon MOSFET IPD65R400CE
贸泽:
MOSFET CONSUMER
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 15.1 A, 650 V, 0.36 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 15.1A 3-Pin TO-252 T/R
IPD65R400CEAUMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.36 Ω
极性 N-CH
耗散功率 118 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 15.1A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 710pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 118W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IPD65R400CEAUMA1