IDK06G65C5

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IDK06G65C5中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 62000 mW

正向电流Max 6 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-2

外形尺寸

高度 4.4 mm

封装 TO-263-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买IDK06G65C5
型号: IDK06G65C5
描述:650V的SiC的thinQ !一?? ¢ 5代二极管 650V SiC thinQ!™ Generation 5 diodes

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