IDT03S60C

IDT03S60C图片1
IDT03S60C中文资料参数规格
技术参数

正向电流Max 4.5 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IDT03S60C
型号: IDT03S60C
制造商: Infineon 英飞凌
描述:2ndGeneration的thinQ ! TM SiC肖特基二极管 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
替代型号IDT03S60C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IDT03S60C

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IDH08S60C

英飞凌

完全替代

IDT03S60C和IDH08S60C的区别

IDH12S60C

英飞凌

完全替代

IDT03S60C和IDH12S60C的区别

IDH06S60C

英飞凌

完全替代

IDT03S60C和IDH06S60C的区别

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