MOSFET N-CH 60V 800mA 4-DIP
N-Channel 60V 800mA Tc 1W Tc Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
得捷: MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
通道数 1
耗散功率 1W Tc
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 200pF @25VVds
耗散功率Max 1W Tc
安装方式 Through Hole
封装 HVMDIP-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准
数据手册
IRFD113
Vishay Siliconix
当前型号
IRFD113PBF
完全替代