IRFD113

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IRFD113概述

MOSFET N-CH 60V 800mA 4-DIP

N-Channel 60V 800mA Tc 1W Tc Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP


得捷:
MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP


IRFD113中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 1W Tc

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 200pF @25VVds

耗散功率Max 1W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 HVMDIP-4

外形尺寸

封装 HVMDIP-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买IRFD113
型号: IRFD113
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 60V 800mA 4-DIP
替代型号IRFD113
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IRFD113和IRFD113PBF的区别

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