IS43DR16128C-3DBL

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IS43DR16128C-3DBL概述

动态随机存取存储器 DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16

SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb(128M x 16) 并联 84-TWBGA(8x12.5)


得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA


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IS43DR16128C 3DBL


贸泽:
动态随机存取存储器 DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


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DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.8V 84-Pin TWBGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


IS43DR16128C-3DBL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 194 mA

位数 16

存取时间 450 ps

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43DR16128C-3DBL
型号: IS43DR16128C-3DBL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16

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