IRFB16N50K参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRFB16N50K概述

MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB

N-Channel 500V 17A Tc 280W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB

IRFB16N50K中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 280W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 2210pF @25VVds

耗散功率Max 280W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： IRFB16N50K

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB